Composant électronique Ikw75n65es5 Infineon IGBT 75A 650V

Informations de base

Modèle NON.	IKW75N65ES5
Certificat	RoHS
Structure d'encapsulation	Transistor à puce
Installation	Triode enfichable
Fonction	Triode de puissance
Matériel	Plastique et Cuivre
Description détaillée	Insulated Gate Bipolar Transistor
Numéro de produit	Ikw75n65es5
Niveau de tension maximal	650.0V
Catégorie	Igbt - Single
Tension - Panne Collecteur Emetteur	650V
Description de Samacsys	Arrêt de tranchée à transistors IGBT
Type de montage	À travers le trou
Forfait transport	Tube
spécification	Plastique et cuivre
Marque déposée	RCS
Origine	Chine

Description du produit

Attributs du produit

•Tension de saturation collecteur-émetteurs très faibleVCEsat•Meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation•Tension de claquage de 650 V•Faible charge de grilleQG•Température de jonction maximale de 175 °C•Qualifié selon JEDEC pour les applications cibles•Plombage sans plomb

Produits connexesType d'emballageChamps d'applicationInformations sur la sociétéNotre exposition

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